NY8A051H是以EPROM作为记忆体的 8 位微控制器，专为多IO产品的应用而设计，例如遥控器、风扇/灯光控制或是游戏机周边等等。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能等优势。NY8A051H核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即能完成，可以让用户轻松地以程式控制完成不同的应用。
在I/O的资源方面，NY8A051H有 6 根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的寄存器控制为输入或输出脚。而且每一个I/O脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。此外针对红外线摇控的产品方面，NY8A051H内建了可选择频率的红外载波发射口。
NY8A051H有两组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8A051H提供 1组 8 位解析度的PWM输出或者蜂鸣器输出，可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。
NY8A051H采用双时钟机制，高速振荡或者低速振荡都由内部RC振荡输入。在双时钟机制下，NY8A051H可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省电力消耗延长电池寿命。
在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒 NY8A051H 进入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。
宽广的工作电压：
2.0V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系统频率>8MHz。
宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。
高达 ±5KV 的ESD。
内建 16 阶准确的低电压侦测电路功能。
1Kx14 bits EPROM。
48 bytes SRAM。
6 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。
PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。
输入有叁种组态可选(TTL/CMOS/Without Schmitt)。
PB[3]内建上拉电阻及输出高推功能。
PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。
所有I/O脚输出可选择小灌电流(Small Sink Current)或一般灌电流(Normal Sink Current)。
所有I/O脚输出可选择小推电流(Small Drive Current)或一般推电流(Normal Drive Current)，除PB3 外。
8 层程序堆栈(Stack)。
存取数据有直接或间接寻址模式。
一组 8 位上数定时器(Timer0)包含可程序化的频率预除线路。
一组 8 位下数定时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
一个 8 位的脉冲宽度调变输出(PW M1)。
一个蜂鸣器输出(BZ1)。
38/57KHz红外线载波频率可供选择，同时载波的极性也可以根据数据作选择。
内建上电复位电路(POR)。
内建低压复位功能(LVR)。
内建看门狗计时(WDT)，可由程序固件控制开关。
双时钟机制，系统可以随时切换高速振荡或者低速振荡。
高速振荡：I_HRC (内部 1~20MHz高速RC振荡)
低速振荡：I_LRC (内部 32KHz低速RC振荡)
四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与 睡眠模式(Halt mode)。
六种硬件中断：Timer0 溢位中断。Timer1 借位中断。WDT 中断。PB 输入状态改变中断。外部中断输入。低电压侦测中断。
NY8A051H在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断：Timer0 溢位中断。Timer1 借位中断。WDT 中断。PB 输入状态改变中断。外部中断输入。低电压侦测中断。
NY8A051H在睡眠模式(Halt mode)下的叁种唤醒中断：WDT 中断。PB 输入状态改变中断。外部中断输入。
NY8A051H提供两种封装类型：SOP8 和SOT23-6
