YF55D54K 是以 EPROM 作为存储器的 8 位单片机，并内置锂电池充电功能，专为锂电池供电和多 I/O 要求应用设计。采用 CMOS 制程并同时提供 客户低成本、高性能、及高性价比等显著优势。YF55D54K 核心建立在 RISC 精简指令集架构可以很容易地做编程和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个指令时钟，大多数指令都是 1 个指令时钟能完成，可以让用户轻松地以 过程控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
在 I/O 的资源方面，YF55D54K 有 4 根弹性的双向 I/O 脚，每个 I/O 脚都有单独的寄存器控制为输入或输出脚。而且每一个 I/O 脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏（Open-Drain）输出。
YF55D54K 有 1 组计时器，可用系统时钟当作一般的计时应用或者从外部讯号触发来计数。
YF55D54K 采用双时钟机制，高速振荡时钟或者低速振荡时钟都由内部 RC 振荡输入。在双时钟机制下， YF55D54K 可选择多种工作模式如正常模式（Normal）、慢速模式（Slow mode）、待机模式（Standby mode）与睡 眠模式（Halt mode ），可节省电力消耗，延长电池寿命。
在省电的模式下，如待机模式（Standby mode）与睡眠模式（Halt mode）中，有多个中断源可以触发来唤醒 YF55D54K 进入正常操作模式（Normal mode）或慢速模式（Slow mode）来处理突发事件。
宽广的工作电压：
2.0V ~ 5.5V @系统时钟 ≦8MHz
2.2V ~ 5.5V @系统时钟 >8MHz
l 宽广的工作温度：-40°C ~ 85°
l 512x14 bits EPROM，32 bytes SRAM。
l 4 根可分别单独控制输入输出方向的 I/O 脚（GPIO）、PB[5:0]。，
l PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。
l PB[5:0]可選擇上拉電阻。
l PB[5:4]及 PB[2:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain)
l PB[3]可選擇當作輸入或開漏極輸出(Open-Drain)
l 4 層程式堆棧 (Stack)。
l 存取資料有直接或間接定址模式。
l 一組 8 位元上數計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路
l 內建上電復位電路(POR)，內建低壓復位功能(LVR)
l 內建看門狗計時(WDT)，可由程式韌體控制開關。
l 雙時鐘機制，系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。
•高速振盪: I_HRC (1~20MHz 內部高速 RC 振盪)
•低速振盪: I_LRC (內部 32KHz 低速 RC 振盪)
l 四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式
(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。
l 三種硬體中斷：
•Timer0 溢位中斷。
•PB 輸入狀態改變中斷。
•外部中斷輸入。
l YF55D54K 在待機模式(Standby mode)下的三種喚醒中斷：
•Timer0 溢位中斷。
•PB 輸入狀態改變中斷。
•外部中斷輸入。
l YF55D54K 在睡眠模式(Halt mode)下的二種喚醒中斷：
•PB 輸入狀態改變中斷。
•外部中斷輸入。
YF55D54K提供一种封装类型：SOP8
